El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras
"P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de
las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día
son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con
el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de
alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta
en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
HISTORIA
El transistor bipolar fue inventado en diciembre de 1947 en
la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Brattain bajo la
dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley
en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de
circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en favor
de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales
integrados.
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